Локации мониторинга УЧВ для системы TSI Nano LPM™
Введение
Система TSI Nano LPM™ предназначена для непрерывного мониторинга ультрачистой воды (УЧВ) на наличие наночастиц размером до 10 нм. Образец УЧВ непрерывно проходит через генератор частиц Nano LPM, где он преобразуется в аэрозоль в условиях, позволяющих измерять твердые наночастицы. Частицы размером менее 10 нм и нелетучие остатки исключены из измерений.
В полупроводниковых фабриках (fabs) установлено множество точек мониторинга, обеспечивающих повышенный контроль технологического процесса с использованием системы Nano LPM™. Этот документ описывает преимущества различных точек мониторинга.
Преимущества мониторинга УЧВ
По мере уменьшения размеров чипов до менее чем 2 нм обнаружение частиц в диапазоне 10-100 нм приобретает все большее значение для повышения выхода годной продукции. Контроль частиц на их источнике, до того как они повлияют на процессы производства, снижает необходимость в устранении дефектов на последующих этапах, делая мониторинг на ранних стадиях стратегически важным подходом к повышению выхода годных изделий.
Локации мониторинга УЧВ
Существует несколько ключевых точек мониторинга, которые стоит рассмотреть.
- Качество УЧВ на выходе из системы подготовки / источник генерации УЧВ — Мониторинг в точке подачи позволяет убедиться, что достигается ожидаемое качество УЧВ, а также может служить первым индикатором увеличения загрязнения наночастицами. Возможно выявление неожиданных событий в процессе очистки. При анализе источника дефектов критически важно удостовериться, что УЧВ поступает в фабрику с допустимым уровнем загрязнения.
- Качество УЧВ на выходе из трубопроводной системы фабрики — Контроль качества УЧВ на выходе из системы трубопроводов может свидетельствовать о том, что определенный участок трубопровода на фабрике вызывает повышение количества частиц. Мониторинг возвратного потока — это точка "худшего случая", которая подтверждает соответствие качества УЧВ на протяжении всей системы трубопроводов до точки контроля и может указывать на наличие проблемы загрязнения в определенной части трубопровода. В сочетании с мониторингом на входе этот подход помогает локализовать источник загрязнения в трубопроводной системе, что упрощает анализ.
- Контроль качества УЧВ в боковых трубопроводах для анализа отдельных участков системы — В зависимости от конфигурации трубопроводов фабрики возможно отслеживание отдельных этапов или производственных линий на входе в эти зоны. Особенно полезно при наличии процессов с более строгими требованиями.
- Мониторинг критических инструментов или процессов — Высокотехнологичное оборудование или критические процессы могут контролироваться на точке подключения УЧВ к инструменту. Такая контрольная точка может быть расположена после фильтрации на месте использования (POU), чтобы оценить качество воды непосредственно перед контактом с продуктом.
Рисунок 1: Схема локаций мониторинга УЧВ на фабрике с использованием системы TSI Nano LPM™.
Дополнительные области применения мониторинга УЧВ
- Тестирование эффективности фильтров — Прямое измерение твердых частиц в диапазоне 10-100 нм позволяет объективно оценить эффективность фильтрации УЧВ. Используя стандартные наночастицы различных материалов, можно проверять фильтр на эффективность, измеряя загрязненность воды до и после фильтра.
- Проверка очистки компонентов — Система TSI Nano LPM™ может использоваться для анализа компонентов трубопроводов или инструментов, подвергшихся повторной обработке или требующих оценки уровня наночастиц. При этом также следует проверить чистоту УЧВ перед компонентом, чтобы оценить его вклад в общий уровень загрязнения.
- Поиск источников загрязнения / расследование проблем системы — Временная установка системы TSI Nano LPM™ в одной из описанных точек может помочь локализовать возможный источник загрязнения, если оно присутствует, но еще не идентифицировано.
Заключение
Выявление загрязнения твердыми частицами до того, как оно повлияет на продукцию, является наиболее ценным стратегическим подходом к повышению выхода годных изделий в производстве полупроводников. Система TSI Nano LPM™ позволяет обнаруживать твердые частицы размером 10-50 нм в УЧВ — еще до того, как они повлияют на выход продукции. Запатентованная новая технология обеспечивает надежность и независимость от материала частиц, используя хорошо зарекомендовавшие себя методы в инновационном подходе. Мониторинг в ключевых точках производственного процесса способствует снижению количества дефектов. Установите систему уже сегодня и увеличьте выход вашей продукции.